半导体废气处理技术
发布时间：
2023-09-11
废气产生的设备约有离子布值机，化学清洗站，蚀刻机，炉管，溅镀机，有机溶剂与气瓶柜等，其中有较高浓度污染的废气均先由该机台所属的Local Scrubber(局部洗涤机)先行处理后，在经由全厂之中央废气处理系统做三次处理后，再排入大气中，以达到净化气体之功能。
废气产生的设备约有离子布值机，化学清洗站，蚀刻机，炉管，溅镀机，有机溶剂与气瓶柜等，其中有较高浓度污染的废气均先由该机台所属的Local Scrubber(局部洗涤机)先行处理后，在经由全厂之中央废气处理系统做三次处理后，再排入大气中，以达到净化气体之功能。
晶圆厂的废气常含有酸，碱性或腐蚀性，故处理系统的管材就必须能耐酸、碱性或腐蚀性，故处理系统的管材就必须能耐酸、碱性，抗蚀性，甚至耐高温及防水性等，故表八乃将常用材质及使用种类整理归纳。而其废气处理种类及方式如下：
1.一般性废气，其来源为氧化扩散炉的热气，烤箱及干式帮浦的排气，此废气可直接排放至大气。
2.酸、碱性之废气，来源为化学清洗站，具刺激性及有害人体。故一般以湿式洗涤塔做水洗处理后再排入大气。洗涤塔利用床体或湿润的表面可去除微米以上的粒子。其气体与液体的接触方式有交叉(垂直交叉)流式、同向流式及逆向流式三种，而水流的设计上，有喷嘴式，喷雾式，颈式及拉西环式等四种。
3.有机溶剂废气通常使用吸附式处理，其常用之吸附剂为活性碳，饱和后可以更换或以再生方式处理。
4.含毒气性废气，其来源为化学气相沈积，干蚀刻机，扩散，离子布值机及磊晶等制程时所产生。在经机台本身的局部洗涤机的处理后，其后段的处理方法有吸附法，直接燃烧法及化学反应法等数种。尤其是薄膜成长和磊晶制程时SiH4气体，须特别注意，因其为一俱爆炸及可燃性的气体。所以单独配管且先经一密闭坚固的燃烧室(Burning Box)，内通空气稀释SiH4至可燃之浓度，令它先行燃烧后再经湿式洗涤塔处理后排出室外。其反应方式为：
SiH4 + 2O2←SiO2 (粉末) + 2H2O其中SiO2粉末须定期清洗，以免污染及堵塞管路系统。另可采用KOH水溶液做为循环液系统，利用二者反应去除SiH 4，反应式如下：
SiH4 + 2KOH + H2O←K2SiO3 + 4H2再经湿式洗涤塔处理后排出。其它一些常用的毒性气体，如AsH3,PH3, B2H6亦可以此类化学反应处理。
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